Le dernier examen de cette norme date de 2020.
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Résumé
PreviewISO 17560:2014 specifies a secondary-ion mass spectrometric method using magnetic-sector or quadrupole mass spectrometers for depth profiling of boron in silicon, and using stylus profilometry or optical interferometry for depth scale calibration. This method is applicable to single-crystal, poly-crystal, or amorphous silicon specimens with boron atomic concentrations between 1 × 1016 atoms/cm3 and 1 × 1020 atoms/cm3, and to crater depths of 50 nm or deeper.
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État actuel: PubliéeDate de publication: 2014-09
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Edition: 2
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- ICS :
- 71.040.40 Méthodes d'analyse chimique
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