ISO 5618-1:2023

недоступно на русском языке

	Формат	Язык
std 1 63	PDF + ePub
std 2 63	Бумажный

CHF63

Пересчитать швейцарские франки (CHF) в ваша валюта

Тезис

This document gives a classification of the dislocations and process-induced defects, from among the various surface defects, that occur on single-crystal gallium nitride (GaN) substrates or single-crystal GaN films.

It is applicable to the dislocations and process-induced defects exposed on the surface of the following types of GaN substrates or films:

— single-crystal GaN substrate;

— single-crystal GaN film formed by homoepitaxial growth on a single-crystal GaN substrate;

— single-crystal GaN film formed by heteroepitaxial growth on a single-crystal aluminium oxide (Al₂O₃), silicon carbide (SiC) or silicon (Si) substrate.

It is not applicable to defects exposed on the surface if the absolute value of the acute angle between the surface normal and the c-axis of GaN is ≥ 8°.

Preview

Вы можете ознакомиться с данным стандартом в нашей онлайн-библиотеке (OBP)

Общая информация

Текущий статус
: Опубликовано

Дата публикации
: 2023-11

Этап
: Опубликование международного стандарта [60.60]
Версия
: 1
Технический комитет :
ISO/TC 206

ICS :
81.060.30
RSS обновления