Тезис
ISO/TR 22335:2007 describes a method for determining ion-sputtering rates for depth profiling measurements with Auger electron spectroscopy (AES) and X‑ray photoelectron spectroscopy (XPS) where the specimen is ion-sputtered over a region with an area between 0,4 mm2 and 3,0 mm2. The Technical Report is applicable only to a laterally homogeneous bulk or single-layered material where the ion-sputtering rate is determined from the sputtered depth, as measured by a mechanical stylus profilometer, and sputtering time.
The Technical Report provides a method to convert the ion-sputtering time scale to sputtered depth in a depth profile by assuming a constant sputtering velocity. This method has not been designed for, or tested using, a scanning probe microscope system. It is not applicable to the case where the sputtered area is less than 0,4 mm2 or where the sputter-induced surface roughness is significant compared with the sputtered depth to be measured.
Preview
Общая информация
-
Текущий статус: ОпубликованоДата публикации: 2007-07Этап: Подтверждение действия между-народного стандарта [90.93]
-
Версия: 1
-
Технический комитет :ISO/TC 201/SC 4ICS :71.040.40
- RSS обновления
Жизненный цикл
-
Сейчас
ОпубликованоISO/TR 22335:2007
Стандарт, который пересматривается каждые 5 лет
Этап: 90.93 (Подтверждено)-
00
Предварительная стадия
-
10
Стадия, связанная с внесением предложения
-
20
Подготовительная стадия
-
30
Стадия, связанная с подготовкой проекта комитета
-
40
Стадия, связанная с рассмотрением проекта международного стандарта
-
50
Стадия, на которой осуществляется принятие стандарта
-
60
Стадия, на которой осуществляется публикация
-
90
Стадия пересмотра
-
95
Стадия, на которой осуществляется отмена стандарта
-
00
Появились вопросы?
Ознакомьтесь с FAQ
Часы работы:
Понедельник – пятница: 09:00-12:00, 14:00-17:00 (UTC+1)