Ссылочный номер
ISO 17560:2002
© ISO 2024
ISO 17560:2002
Surface chemical analysis — Secondary-ion mass spectrometry — Method for depth profiling of boron in silicon
Версия 1
2002-07
В время отменен
Отозвано (Версия 1, 2002)

Тезис

ISO 17560:2002 specifies a secondary-ion mass spectrometric method using magnetic-sector or quadrupole mass spectrometers for depth profiling of boron in silicon, and using stylus profilometry or optical interferometry for depth scale calibration. This method is applicable to single-crystal, poly-crystal or amorphous-silicon specimens with boron atomic concentrations between 1×1016 atoms/cm3 and 1×1020 atoms/cm3, and to crater depths of 50 nm or deeper.

Общая информация

  • Текущий статус
     : Отозвано
    Дата публикации
     : 2002-07
    Этап
    : Отмена международного стандарта [95.99]
  • Версия
     : 1
  • Технический комитет :
    ISO/TC 201/SC 6
    ICS :
    71.040.40 
  • RSS обновления

Жизненный цикл

Появились вопросы?

Ознакомьтесь с FAQ

  2. Интернет-магазин
  3. Каталог стандартов
  4. МКС
  5. 71
  6. 71.040
  7. 71.040.40
  8. ISO 17560:2002